• IBM presenta nueva memoria caché
14/02/07
Nueva memoria eDRAM más veloz para procesadores
IBM anunció hoy que ha logrado un nuevo dispositivo DRAM mucho más veloz y compacto, que logra tiempos de acceso récord. Se espera que la tecnología aparezca en 2008 como parte de la generación de procesadores de IBM de 45 nm.
IBM presentó el avance en documentos presentados en la Conferencia Internacional de Circuitos de Estado Sólido (ISSCC) en San Francisco, EE. UU.
«Con esta solución revolucionaria a la brecha de procesador/memoria, IBM duplica el desempeño de los microprocesadores más allá de lo que se puede lograr con métodos tradicionales», dijo el Dr. Subramanian Iyer, director del departamento de tecnología de 45 nm en IBM. Estos son desarrollos «a escala atómica» en que la física de materiales se ha convertido en un «factor clave para continuar cumpliendo con la ley de Moore». Esta «ley» predice que el contenido de transistores de los circuitos integrados se duplicará cada 18 o 24 meses.
Hasta ahora, los microprocesadores utilizan memoria caché «estática», porque es mucho más rápida que la memoria dinámica DRAM, pero también es mucho más costosa y ocupa aproximadamente cuatro veces más espacio. El avance de IBM permitirá incluir más caché (memoria intermedia) en los microprocesadores, sin aumentar su tamaño ni su coste.
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